中國科學院半導體研究所在PZT（鋯鈦酸鉛）光電子材料與器件領域取得重大突破，成功研發出高性能PZT光電子器件，為新一代光通信、光計算和光傳感技術奠定了關鍵材料基礎。

PZT是一種具有優異壓電、鐵電和電光特性的多功能材料，在光電子領域具有廣闊應用前景。長期以來，PZT材料在光電子器件中的集成面臨晶格失配、光損耗高和工藝兼容性差等瓶頸。半導體所研究團隊通過創新性的材料生長和器件設計方法，攻克了這些難題。

據悉，團隊采用分子束外延（MBE）和金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）技術，在硅基襯底上成功制備出高質量PZT薄膜，并實現了低損耗光波導和高速電光調制器。實驗結果表明，該PZT光電子器件的電光系數高達120 pm/V，調制帶寬超過40 GHz，插入損耗低至2 dB/cm，綜合性能達到國際領先水平。

這一突破不僅推動了PZT材料在硅基光電子集成中的應用，也為未來大規模光電子芯片的制備提供了新方案。專家表示，該成果有望在數據中心光互連、激光雷達（LiDAR）和量子信息處理等領域發揮重要作用。

半導體所相關負責人表示，下一步團隊將致力于優化器件工藝，提升集成密度和可靠性，并與產業界合作推動PZT光電子器件的商業化進程。